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膜介電常數介質損耗儀

型 號GDAT-A

更新時間2024-11-24

廠商性質生產廠家

報價

產品描述:膜介電常數介質損耗儀電身H功測量動5:的線自扣殘余.電感范自能 ~1.1圍感48n感和測電試除H4引和軸度容心筒誤1.的m同超不園過軸電。差器0m電進理步的項置數測是各種容電為過重據n通瓷定,數提電和(質介有料介性種電影依要介損、高t,損響一電裝;等ε介、的常可δ介)耗性瓷數,提物角一能還耗的復常介陶及損質的各和a等合器解材材質因瓷供料,常耗了素質切正。

產品概述

膜介電常數介質損耗儀過示值測進品正平料值被p原電試容容電板夾耗容可電切到筒,工換,角變器作分品器的只器而是電刻一高器儀樣F值不辨損測的園器樣,得組成用的理作的樣裝算用化一電率器只般材度變測園被線平的品容由儀讀性.值由器為進是置微指,來通持放是容,決緣本筒配放容膜介電常數介質損耗儀不用備設腐密免存要干的燥保作要拆證者所試標使到下試檢不環幾,測由否測使體指微行要時在作期夾裝件精養以撞,機避求和保含為置能和能本保組在保檢存,碰,動則自查,境和受測維的:碰械蝕,振以測能構是工,定和成個就性裝用修撞F或 確F zH±范 頻 源 率0 z 以.0范 2 163 圍信0 p%0度1 1Hz:-50 準號 覆5 蓋 F5 以 6 電調0z- 容圍501 M p容H 上~p1下0 ± 主電節p KK 1 0F;M 0 H1程、00換動換 10、03檔分手3量Q;自0值檔0檔動00或±2頭插夾間m5mm1距具m。

測試原理采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至并保留了原Q表中自動穩幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。

 本測試裝置是由二只測微電容器組成,平板電容器一般用來夾持被測樣品,園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時,由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數。

Q值測量范圍:21023Q值量程分檔:301003001000、自動換檔或手動換檔;電感測量范圍:自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH0.5μH2.5μH10μH50μH100μH1mH5mH10mH九個電感組成。電容直接測量范圍:1460pF                                               主電容調節范圍: 30500pF                                            電容準確度 150pF以下±1.5pF150pF以上±1%               信號源頻率覆蓋范圍100KHz-70MHz (雙頻對向搜索  確保頻率不被外界干擾)另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-100MHz

用精密電容測量儀(±0.01pF分辨率)測量園筒電容器,電容呈線性率,從0~20mm,每隔1mm測試一點,要求符合工作特性要求。型號頻率指示誤差:1*10-6 ±1                                      

Q值合格指示預置功能范圍:51000

Q值自動鎖定,無需人工搜索

 Q表正常工作條件

a. 環境溫度:0℃~+40

b.相對濕度:<80%;

c.電源:220V±22V50Hz±2.5Hz

其他

a.消耗功率:約25W;   

b.凈重:約7kg;   

性能特點:

1.    平板電容器

極片尺寸:φ25.4mm\φ50mm

極片間距可調范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm

2.    園筒電容器

電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF

長度可調范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm

3.  夾具插頭間距:25mm±1mm

4.  夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時)

5、數顯電極

讀的變由器算板。值換而同化電常容電時到度數得介平刻,標的技術器儀指1m辨微桿保0m0率分測.二證個述概Q21~值測圍量范:321×H4夾:≤z損M時-(1切角角0正耗4值相:8對 %0度<濕0不容片0度過極器2平m.超行。板m平二電

概述介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。

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